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  ?英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降V·CE′(sat?) ?IGB£T。∈此类IGBT 专门针对 5?0H?㎝z ?至20kH=z? 的¥<§低开关频率范围进行了优化。这个£范围的开关频率﹥常见于*不间断电∧源 (U?PmolS) 以及光伏?逆变∫器和?逆变焊机中。?新 ?L5 ?系列基?于 T≠RE?NCHSTO㎞P&trad∨e;5㎜> 薄晶片技¢术,使本来?就很m低的?导通损耗因为?载流子∵结构的优化得◎到℃了进一?步降低。

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?  凭?借 25&d≒eg?;C时典型饱和压降 (≈VCE%(sat)) 为1.05 V的傲人成绩,此类?新型 IGBT成?功地≯将效率水平提㎡升到一个?新的高度 —?&﹤m?da℡sh?; 用 L5?$ 系列代替它的前辈 TRENCHSTOP IGBT,使效率在NPC1拓扑中提?升高达% ?0.1∟%№,?在 NP?C 2 拓扑中提?升∣ 0?.3?%。再加上VC?E(sat)的温∴度≌系数为/?正,保持高效⊕率的同时还能?直接并联&?mdash?;—树立了20kHz? 以下频率⌒的IGBT的行业标?杆。?铸造新? L?5系列?灵魂?的1 TRENCHST±O2P5技ml术,不但¥能提供无与伦比的?低传导igbt频率损耗,还能将?25℃时的∮总?开关损″耗降至1.6 mJ。综∞上所述,在低∥开关频率应用+场?合㈱使用?英≧飞凌新推出的低饱?和压降 IGBT 能提升效率,增加可靠?性并且缩小系统的㏄尺寸。

  第一?波面?世的新≦L∽5 IGBT系?列采﹣用业界标?准?的TO-247?3针∩封装技术。此外,为?了满足需要进一步增强效率?的㎏应用?场合,≤?英飞凌?还?提?供 TO-2?4?7 4≮?针开尔文-发射※极封装版(Kel??vi?n-E℉mit?ter pac¬ka⊿ge×)的 L5 ∷IGBT。与标准的 T?O-?247 ≥3?针‰封装版相比,TO-2÷47 4﹢针封??装版的开关?损?耗减??少了 20%?。㏒∷因?此,L5与♀T-O?-?247 4针3封装×的结?合,不但创造了终极版低传导㏑能耗和低♂=开关损耗成绩√,还帮助英?飞凌巩固?了在为高∶功率市场提供高度创新并且与众不同的产品∪方面的?领?先地位。∑

°  配置o规格

  新型低饱?≡和压降L5系列有30A和?75A两种规?格,?一种是单IGBT形式,另一?种则合装有*英@飞㎎凌的超快Rampid 1和Rapid? 2硅?二极㏕管。TO-247 4针开尔文-﹢发射极封装〒版有∠75A规格。℅更多关于新L5系列IG??BT的信息,请访问∏ www.infineon.com/Tr¤e⊙?nchstop-?L5⊥。

关于更多igbt频率内容,可以收藏本网页。97国足 英飞凌推出新型IGBT,将工作在50Hz至20kHz下的总功耗成功降至最低水平

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作者: mgnqyz

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