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闪存市场

闪存市场 ℡ 据一些调查报?告显示,NAND型闪存市场将持续扩张,预计今年整体闪存市?场增长率将达3∫到42%…

闪存市场

据一些调查报?告显示,NAND型闪存市场将持续扩张,预计今年整体闪存市?场增长率将达3∫到42%, 2005年也㏄会不低于23%㎎。而且在∞2005年底之前并不会出现£供给过剩的状况。这种预期主要来自于两方面的?动力:其一,NAND型闪存用在数码相机闪存卡和MP3播放器上,这是两个迅速增长的市场。NOR型闪存则用于手机和机顶?盒的信息储存,该市场的发展速度低于前者。其二,传统上NOR型闪存芯片所?统治的?移动电话领域,≈因为最o新标准的2.5G和?3G手机逐渐改变了对内存的要求,从而使得NAND型闪存成为该领域的新选择。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/6366.htm

ST看好前景 进军NAND
NO%R和NAN?D闪存器件采用不同的存储阵列体系结构,从而产生了完全不同的?应用优势。NAND存储单¢3元要比?NOR存储单元小约40%,可?以转化成更低的成本-位比。而且,NAND器≌件是专门为顺序存取优化的,即大量的数据通常闪存市场是从顺序地址的内存读??取的,类似于回放一个录像带。但在另一方面?,因为随?机存取时间更加快速,N§OR体系结构更加适合直接?执行程序代码。从历史上看,NOR器件在闪存市场占主导地位,不过,目前NAND闪存市场正在快速增长,特别是在移动多媒体功能需求的推动下,例如流式电视剪接——NAND闪存∧最适合的数据种⊕类″,使得NAND闪存市场的增长更加迅猛。许多半导体厂商看好这一商机,纷纷加入NAND阵∷营。正如意法半导体闪存分公司总经理Mario Liccia≡rdello所说:“现在是我们扩大NAND闪存产品组合以满足快速增长的低成本、高密度存储需求的时?ml候了。具有成本效益的NAND闪存,支持在手机、PDA、MP3唱机和类?似移动设备上?存储图像、音乐文件和其他?多媒体数据的需$求,?是消费市场复苏的一个关键因素。”
近期该公司宣布进?入NAND?市场,开始量?产100?0MB和512MB? NAND闪存产品。这两款产品首次出现在意法半导体闪⌒存产品系°列内,? NAND1G 和 NAND512 M分别具有1.8V和 3V两种产品规格。
新兴的多媒体系统产品是扩大NAND闪存需求的主要动力?。?目前∨NOR闪存的最大容量只有128Mb,而NAND可达到几个Gbit,因此NAN?D?闪存能够满?足大容量、小尺寸的产品?的大容量数据存储需μ求,如用于数码相机≤、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和第三代手?机的可拆卸海量存储器,而这些∮主要应用领域在2004年可望有显著增长。ST的NAND1?G 和 NAND512都具有很大的数据吞吐量 — 这是海量存储应∈用的主要≦特点,以及便携式设备所需的高?密度、高速擦写和低功耗特?性。为满足两个主要市场的需求,这≒两款产品都有两种工作电源规格,分别是mol3.0V电压?下的NAND01GW3A和 ÷NAN¬D¥512W3?A,?以及1.?8V电压下的NAND01GR3A和 NAND512R3A。
同时,该公司还与现代半导体达成一份合作开发NAND闪♀存的协议,据该协议,两家公司将共同销售合作开发的NA?ND?㎡闪存产≧品。第?一个NAND闪存器件的开发将基于ST经过证明的闪存设计技术和现代∟的SDRAM工艺专业设计技术和批量制造∥能力。现代半导体正在销售基于120nm生产工艺的512MB闪存芯片、采用90nm工艺的1∷GB闪存芯片,>并且将在今年第∑4季度生产2GB闪存¥芯片。

东芝工艺、产能双管齐?下
东芝预计,今后三年内市场对NAND闪存的需求将每年递增30%。根据iSuppli公司的一份报告,这一强劲的市场需求已将东芝公司的排≯名从行业第四名推到去年的第二名,仅次于三星电?子公司。为巩固自m己的优势,近期东芝推出?半导体行业第一种4GB单芯片多级单元NAND闪存。同时还宣布推出8GB闪存I2C (TH58NVG3D4BFT00)。?该IC采用90nm处理技术将两个4GB闪存堆叠在同一个封m装中,其容量是东芝目前最大的∴单芯片 NAND 闪?存的两倍,将使能支持各种应用的更高容㈱量的闪存卡成×为现实。同时,东∏芝还计划在2004年第三季度推出一款16GB NAND 闪存集成电路样品。这种集成电路将在单个封装中堆叠4个4?GB NAND 闪存℅。此外,在产能方面,近期东?芝在其Fab 3新工厂?的奠基仪式上宣布希望∪该300mm NA﹢ND闪存工厂的最终产能比原计划增加≥1.5倍,达到‖每月3﹣7,5∩00?片晶圆左右。该新工厂将成为东芝与SanDisk公司合资企业的NAND闪存生产基地。两公司表示,对N?AND闪存的强劲需求促使合资℉双方修改其最初的产能计划。

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Intel奋起反击 力保N﹤OR阵营?优势
除了价?格因素,NAND最大的优点还在于它不¤但能使用在程序?代码储存,还能使用在数?据代码储存(da№ta storage),两种存储方式的相互转换在N﹣AND*型闪存上也更容易进行。但≮是载入时延时和耗能的缺点,也使得其竞争力?大打折扣。市场分析?公司iSuppl?i相信,NAND的价格优*势和性?能缺点使得它将在这个领域与NOR各占一?定市场⊙分额?。同时,iSuppl⊿i预测在2002~2007年间?,NAND的销?售额±按40%的﹢复合年增长率上升,N?OR型闪存仍?然备受威胁。
去年Intel公司在闪存市场上首次从第1∵位滑落到第4位。即使在NOR闪存-市场,当AMD和富士通?公司合并闪存部门后,Intel甚至也不保了第一的位置℃。为重新夺回市场,Intel 将开始生产基于90nm生产技术的芯片,以降㎏低成本。同时,该公司为收复失地正在扩㎞大N∽OR用户?,除了针对移?动@电话制造商,该公司还正努力开发网络设备和P?C 制造商的业务。Intel行销主管Peter Van Deve㎝nter说?,“芯片⊥封装+将在扩张㎜行动中起关键性作用。♂在Intel的多芯片封装过程中,通过Tesser?a公司的设计㏒In?tel 能在单个芯片包内插入4块存储芯片。”据了?解,该公司将推出一种NOR芯片,可与储存16到32位′数据的NAND芯片相?媲美。同时,Intel 将开发一项技术?制造价格更低的数据存储芯片。为赢得更多的闪存市场份额,Intel公司预计2006年?的闪存产量将◎增加到目前的10倍。公司闪存产品部?门副总?裁Tom Lacey称:“目前,Intel的无线闪存?解决方案是全球性能最高的无线应用方案?。它具有四个创新性特征:1.8伏低压运行、直接?执行代码、完善的制造程序,以=及对偶码和数据双∶存储。”
 
三星龙头使压 抬高=门槛
面对里外夹击,全球最大的NAND闪存厂商三星电子公司正积极应对。三星电子美国公司负责内存销售和市?场?营㏑销×的副总 ?裁Tom Quinn表示?,三星电子近期?推出了基于90nm工艺的2GB NAND闪存芯片,并且∠计划在今年把产£∝量提高一?倍。 同时?该公司还计划今年下半年把NAN?D闪存价格下调∣30%,以便提高√新的厂商进入闪存市场的门槛。这个降价策略将影响全球市场的〒现货价格。
随着3%G的渐行渐近,存储容量需求的日益增加,尽管有些半导体厂商试图?通过给手机增加硬盘,?来使手﹥机摆脱一些功能的限制,并使手机的各种潜在功能得到完全发挥。但正如市场调㏕查公司IDC分析师AlexSlawsby所说:“/开发成本、硬盘?体积、耗能高等问题将成为关键性因素。因此从近期看?,?闪存芯片仍然将是高·端手机的主流选择≠。”可是,由于新厂商大量涌进,各巨头加快实施?大批量生产的计划,这个看似很?大的市场将变得非常拥挤。
而且,?近期有消息传出ST在开发新型的最终可能会取代闪存的电子存?储器中取得重大进步。这种新的技术叫做换相存储器(PCM),该新技‰?术具有更快的?读写速度、更高的耐用性,以?及向单个存<储地址写入的能力,其潜在性能优于闪存。最重要的是,这项技术的※内在灵活性高于目前正在应用中的其它任1何非易失性存储?器技术。尽管该技术也遇到了主要的瓶颈—降低工作电流,但是其潜在的优势,或许对本来就很激烈的传统闪?存市场来说又多了一层压?力。■

关于更多闪存市场内容,可以收藏本网页。卡马乔年薪 NAND、NOR之争,闪存市场何去何从

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作者: mgnqyz

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