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晶闸管可控硅

晶闸管可控硅 可控硅(晶闸管)基础知识可控硅符号: 可控硅也称作晶闸管,它是?由PNPN?四层半?导体?构成£…

晶闸管可控硅

可控硅晶闸管)基础知识
可控硅符号:

可控硅也称作晶闸管,它是?由PNPN?四层半?导体?构成£的元件,有三个电极,阳≌极A??,?阴极K和控制极?G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小∟电流控制大电流,并且不象继电器那样控制㎎时有火花?产生,而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电?路中都有它的身影。可控硅分为单向的?和双向的,符号也不同。单向可控硅有?三个?PN结?,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称?为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极。单向可?控硅有其独特的特?性:?当阳极接反向m电压,或者阳极接正向电压但控制极不加电压时,它都不导通,而阳极和控制极同时接正向电压∩时,它就会变成导通≧状 态。一旦导通,控制电压便失去了对它的控制作用,不论有没有控制电压,也不论控制电压的♂极性如℉何,℅将一直处于导通状态。?要想关断,只有把阳极电压降低到某 一o临界值或者反向。双向可控硅的引脚多数是按T1≮、T2、∽G的顺序从左至右排列(电极引脚向下,面对有字符的一面时)。加在控制极∪G上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小。与<单向¢可控硅的区别是,双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时?,其导通方向就随着极性的变化而改变,从 而能够控制交流电负载。而单?向可控硅经触发后只㎜能£从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅,单向的有MCR-100等,双向的有TLC336?等。可以查看≦:?世界可1控硅参数大全 ,这是TLC3?36的样子:

向强电冲击的先锋—可控硅

可控?硅是可控硅整㏕流元件◎的简称,是一种具有三个PN 结的四 ?层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流′,它还可以用作无触点开关以快速接通或=切断电路,实现?将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件?一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可″靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱⊿电 领域进入了?强电领域,成为工业、农∑业、交通运输、?军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。1?. 可控硅的结构和?特性 可控硅?从外形±上分主要有螺旋式﹤、?平板式和平底式三种。螺旋×式的应用较多?。≯可控?硅有三个电极——阳3极(A§)阴极(C)和控制?极(G)。它有管芯是P ?型导体和N 型≡导体交迭组?成的四层∝结构,共有三个PN? 结。可控硅和∨只‖有一个PN 结∷的硅整流二极度管﹢在结构上迥然不同。可控硅的四层结构﹥和控制极的引用,为其发挥“以小控大”?的优异控?制特性奠?定了基础。在应用?可控硅时,只要在控制?极加上很小的电流或电压,就能?控制很大的阳极电流或电压。目前已?能制造出电?流容量达?几?百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以?下∶的可控硅叫小功率可控硅,?350安培以上∴的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以℃小控大”的可控性呢?首先,我们可以把从阴极?向上数的第一℡、二、三层看面∧是一只NPN 型号晶体管〒,而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管∈。其中第二、第三层?为两管交迭共用。当在阳?极和@阴极之间加上一个正向电压Ea ,又在控制极G?和阴极C之间(相当BG1 ㎞的基一射间)输入一个正的触发信号,BG1 ?将产生基极电流Ib1 ,经放大,㎝?BG1 将有一个放大?了β1 倍的集电极电流I‰C1 。因为∣B?G1 集?电极与㈱BG2 基?极相≥连,IC1 又是BG2 °的基极㏑电流Ib2 。⊥B?G2﹣ 又把比Ib2 (Ib1 )放大了?β2? 的集电※极电流IC÷2 送回BG1 的基极放大。如此循环放晶闸管可控硅大,直到BG1 、B㏄G2 完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程,对可控硅来说,≒?触发=≠信号加入控制№极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅?的性能。可控硅?一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG1 基极的电流?已不只是≈初始的Ib1 ,而是经过BG1 、BG?2 ∥放大后的电流(β1 *β$2 *Ib1 )这一电流远大?于Ib1 ,足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使?消失?,可控硅仍保?持∷导通状?态只有断开电源Ea 或降低Ea? ,使BG1 、BG2? 中?的集㏒电极电流小*于维持导通?的最小?值时,可-控硅方?可关断。当然,如果Ea 极性反接,㎡B¥G?1 、BG2 由于受到反?向电压作用将处于截?止状态。这时,即使输入触发信号,可控硅也不能工作。?反过来?,Ea 接成正向,而触动发信号是负的,可控硅也不能导通。?另外,如果不加触发信号,而正向阳极电压大到超过?一㎏定值时,可控硅也会导通,∮但已属于?非?正常工作情况了。可控硅这种?通过触发*信号(小的触发电流)来控制导>通(可控硅中通过大电流?)的可控特性,正是它区别?于普通硅整流二极管的重要特2征?。 2. 可控硅的主要参数 可控硅的主要参数有: (1) 额?定通态平均电流IT在一定条件下,阳/极—阴极间可以¤连?续通过的50赫兹正?弦半波电流的ml平均值。 (≤2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未?超过导能电压?时,可以重μ复加在可控硅两∏端的正向峰值电压。可控硅承?受的正向电压峰m值,不能超过手册给出∠的这个参数?值。 (3) 反向阴断峰值电压VP﹣R当可控硅加反向电压,处于反向关断%状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,%不能超过¬?手册+给出的这√个参数值。? (4﹢) 控制·极∫触发电流Ig1 、触发电压VGT在规⊙定的环境温度下,阳极——阴极∵间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导?通状态所需要的最小控制极电流和电压。 (5mol) 维持电流IH在规定温度下,控制极断路?,维持可控硅导⊕通所必需的最小阳极正向电流。近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适?于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方⌒向♀导通的双向可控硅,可以用¥正触发信号?使其导通,用负触发信∞号使其关断的?可控硅等等。

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