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三极管做开关

三极管做开关 我们∏?在?做电路设计中三极管?和MOS管?做开关用时候?有什么区别m 工作性质:∧ 本文引用…

三极管做开关

我们∏?在?做电路设计中三极管?和MOS管?做开关用时候?有什么区别m 工作性质:∧

本文引用㎏地址:http://www.ee3pw?.com⌒.cn/article?∽/201706/349856.∣htm?

  1.三极管?用电流?控制,MO◎S管属∝于电§压控制.

?  2、成本问题:三极管便宜,M?O?S管贵。

?  3、功*耗问ml题:三极管损耗大。

  4、驱动能力:M∴OS管常用来m电源开关,以?及大电流°地方开关∫电路。

实?际上就是三极管比较便宜,用起来方?便$,常用在数字电路?开关控制。㎞

MO?S管用∮于??高频高速电路,大电流场合,以及对基极或㎎漏极?控﹤制电流比较敏感的地♂方。

一般来说低成本场合,∷普通应用的先?考虑用三极管,不行的话考虑MμOS管

实≧际上说电流控制慢?,∷电压控制快这种理解是不√对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS?晶?体管的工作方式才能明白。三极管是靠″载流子的运⊿动来工作的,£以 np?n管射♀极跟随器为例,当基极加不加电压时≥,基?区和∪发射区组?成的p⊙n结为阻止多子(基区?为空穴,发射区为电子?)?的?扩≯散≦运动,在此pn结处会感?应出£由?发射 区指?向基区?的静电﹣场(∨即内建电场?),当基极㏑外加正电压℃的指向?为基区指向发射区,当基极?外加电压产生?的电场?大于内建电场时,基×区的载流子(电子)?㈱?才有可能从? 基?区流向发射区,÷此电压的最小值?⊥即pn结的正向导通电%压℅(工程上一般认?为0.7v≤)。但此时每个pn结?的两侧@都‰′会有电荷存在,此时如果集电极℉-发射极/加正 电压,在?电场作用下,发射?区㎡的电子往基区㎜运动(实?际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小?,电子很容<易越过基区到达集电区,?并与此?处的PN的空穴复 合(靠近集电极),‖为维持?平?衡,在正电场¬的作用下集电?区的?≮电子加速外集电≌极运动,而空穴则为pn结处运动,此过?程类?似一个雪崩过程。?集电极﹢的电≡子通过电源 回到发≒射*极,这就是晶体管o的工作原理。三极管工作时?,两个?pn结都会感应出电荷∟,当?做开关管处于∵导?通状态时,≈三∑极管处于饱和状态,如果这时三极¤管截 至=,pn?结感应的电荷要恢复到平衡﹢状态,这个过程?需要时间。而≠MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管∈。

  (1)场效应管是电压控制元件?,而晶体管?是电¥流控制元件。在只⊕允许从?信﹣号源取较少电流的情况下,应选用场效应管?;而在信号电压较低,又﹥允许从信号∞源取较?多电流?的条件∩下,应选用晶体管。

  (2?)场效?应管是利用?多数载?流?子导电2,所×以称之为单极型器件,而晶体管是即有?多数载流子,也利用少数载流子导电。?被称之为双极型器件。>

?  (3)有些场效应管㏒的源极和漏?极可以互?换使用,栅压也可正可?负,灵活性比+晶体管好。

 ? (4)场?效应管能∶在-很%小电流?和??很低电压的条件下工作,而且它?的制造工艺可以很方便地把很多?场效应管集成∠∥在一块?硅片上?,因此场㏕效?应管在大规模集成电±路㏄中得到了广泛的应用。

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 ¥ (5)场效应晶?体管具有较高输入?阻mol?抗和低?噪声等优点,因?而也被广3泛※应用于各种?电子设备中。尤其用场效管做整个¢电子设备的输入1№级?,可以获得?一般?晶?体管很难·达到?的性能。

  (6)场效应管分成结型和绝缘?栅型两大类,其控制原?理都是一样的℡。〒

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作者: mgnqyz

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